Si&InGaAs,PIN&APD,Vlnová dĺžka:400-1100nm,900-1700nm. (Vhodné pre laserové meranie rozsahu, meranie rýchlosti, meranie uhla, fotoelektrickú detekciu a fotoelektrické protiopatrenia.)
Spektrálny rozsah materiálu InGaAs je 900-1700 nm a multiplikačný šum je nižší ako u materiálu germánia. Všeobecne sa používa ako násobiaca oblasť pre heteroštruktúrne diódy. Materiál je vhodný pre vysokorýchlostnú komunikáciu z optických vlákien a komerčné produkty dosiahli rýchlosť 10 Gbit/s alebo vyššiu.